ಗ್ಯಾಪಿ
ಗ್ಯಾಲಿಯಮ್ ಫಾಸ್ಫೈಡ್ (GaP) ಸ್ಫಟಿಕವು ಉತ್ತಮ ಮೇಲ್ಮೈ ಗಡಸುತನ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ ಮತ್ತು ವಿಶಾಲ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಪ್ರಸರಣದೊಂದಿಗೆ ಅತಿಗೆಂಪು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.ಅದರ ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಸಮಗ್ರ ಆಪ್ಟಿಕಲ್, ಮೆಕ್ಯಾನಿಕಲ್ ಮತ್ತು ಥರ್ಮಲ್ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳಿಂದಾಗಿ, ಮಿಲಿಟರಿ ಮತ್ತು ಇತರ ವಾಣಿಜ್ಯ ಹೈಟೆಕ್ ಕ್ಷೇತ್ರದಲ್ಲಿ GaP ಸ್ಫಟಿಕಗಳನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಬಹುದು.
| ಮೂಲ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು | |
| ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ | ಝಿಂಕ್ ಬ್ಲೆಂಡೆ |
| ಸಮ್ಮಿತಿಯ ಗುಂಪು | Td2-ಎಫ್ 43 ಮೀ |
| ಪರಮಾಣುಗಳ ಸಂಖ್ಯೆ 1 ಸೆಂ.ಮೀ3 | 4.94·1022 |
| ಆಗರ್ ರಿಕಾಂಬಿನೇಶನ್ ಗುಣಾಂಕ | 10-30ಸೆಂ6/s |
| ಡಿಬೈ ತಾಪಮಾನ | 445 ಕೆ |
| ಸಾಂದ್ರತೆ | 4.14 ಗ್ರಾಂ ಸೆಂ-3 |
| ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಥಿರ (ಸ್ಥಿರ) | 11.1 |
| ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಥಿರ (ಹೆಚ್ಚಿನ ಆವರ್ತನ) | 9.11 |
| ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿml | 1.12mo |
| ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿmt | 0.22mo |
| ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ರಂಧ್ರ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿಗಳುmh | 0.79mo |
| ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ರಂಧ್ರ ದ್ರವ್ಯರಾಶಿಗಳುmlp | 0.14mo |
| ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನ್ ಬಾಂಧವ್ಯ | 3.8 ಇವಿ |
| ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಸ್ಥಿರ | 5.4505 ಎ |
| ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಫೋನಾನ್ ಶಕ್ತಿ | 0.051 |
| ತಾಂತ್ರಿಕ ನಿಯತಾಂಕಗಳು | |
| ಪ್ರತಿ ಘಟಕದ ದಪ್ಪ | 0.002 ಮತ್ತು 3 +/-10% ಮಿಮೀ |
| ದೃಷ್ಟಿಕೋನ | 110 - 110 |
| ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟ | scr-dig 40-20 - 40-20 |
| ಚಪ್ಪಟೆತನ | 633 nm ನಲ್ಲಿ ಅಲೆಗಳು - 1 |
| ಸಮಾನಾಂತರತೆ | ಆರ್ಕ್ ನಿಮಿಷ < 3 |
