ಹೋ: YAG ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ಸ್
ಹೋ:YAG ಹೋ3+ಇನ್ಸುಲೇಟಿಂಗ್ ಲೇಸರ್ ಸ್ಫಟಿಕಗಳಾಗಿ ಡೋಪ್ ಮಾಡಲಾದ ಅಯಾನುಗಳು 14 ಇಂಟರ್-ಮ್ಯಾನಿಫೋಲ್ಡ್ ಲೇಸರ್ ಚಾನಲ್‌ಗಳನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿವೆ, CW ನಿಂದ ಮೋಡ್-ಲಾಕ್ ವರೆಗೆ ತಾತ್ಕಾಲಿಕ ವಿಧಾನಗಳಲ್ಲಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತವೆ.Ho:YAG ಅನ್ನು ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 2.1-μm ಲೇಸರ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಸಮರ್ಥ ಸಾಧನವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ5I7-5I8ಪರಿವರ್ತನೆ, ಲೇಸರ್ ರಿಮೋಟ್ ಸೆನ್ಸಿಂಗ್, ವೈದ್ಯಕೀಯ ಶಸ್ತ್ರಚಿಕಿತ್ಸೆ ಮತ್ತು 3-5ಮೈಕ್ರಾನ್ ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಮಿಡ್-ಐಆರ್ ಒಪಿಒಗಳನ್ನು ಪಂಪ್ ಮಾಡುವಂತಹ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ.ಡೈರೆಕ್ಟ್ ಡಯೋಡ್ ಪಂಪ್ಡ್ ಸಿಸ್ಟಮ್ಸ್,ಮತ್ತು Tm: ಫೈಬರ್ ಲೇಸರ್ ಪಂಪ್ಡ್ ಸಿಸ್ಟಮ್ ಹೈ ಸ್ಲೋಪ್ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸಿದೆ, ಕೆಲವು ಸೈದ್ಧಾಂತಿಕ ಮಿತಿಯನ್ನು ಸಮೀಪಿಸುತ್ತಿದೆ.
ಮೂಲ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
| Ho3+ ಸಾಂದ್ರತೆಯ ಶ್ರೇಣಿ | 0.005 – 100 ಪರಮಾಣು % |
| ಹೊರಸೂಸುವಿಕೆ ತರಂಗಾಂತರ | 2.01 ಉಮ್ |
| ಲೇಸರ್ ಪರಿವರ್ತನೆ | 5I7→5I8 |
| ಫ್ಲೋರೆಸೆನ್ಸ್ ಜೀವಿತಾವಧಿ | 8.5 ms |
| ಪಂಪ್ ತರಂಗಾಂತರ | 1.9 um |
| ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆಯ ಗುಣಾಂಕ | 6.14 x 10-6 K-1 |
| ಥರ್ಮಲ್ ಡಿಫ್ಯೂಸಿವಿಟಿ | 0.041 ಸೆಂ.ಮೀ2 s-2 |
| ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ | 11.2 W ಮೀ-1 K-1 |
| ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಶಾಖ (ಸಿಪಿ) | 0.59 ಜೆ ಜಿ-1 K-1 |
| ಉಷ್ಣ ಆಘಾತ ನಿರೋಧಕ | 800 W ಮೀ-1 |
| ವಕ್ರೀಕಾರಕ ಸೂಚ್ಯಂಕ @ 632.8 nm | 1.83 |
| ಕರಗುವ ಬಿಂದು | 1965℃ |
| ಸಾಂದ್ರತೆ | 4.56 ಗ್ರಾಂ ಸೆಂ-3 |
| MOHS ಗಡಸುತನ | 8.25 |
| ಯಂಗ್ಸ್ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್ | 335 ಜಿಪಿಎ |
| ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ ರಚನೆ | ಘನ |
| ಪ್ರಮಾಣಿತ ದೃಷ್ಟಿಕೋನ | <111> |
| Y3+ ಸೈಟ್ ಸಿಮೆಟ್ರಿ | D2 |
| ಲ್ಯಾಟಿಸ್ ಸ್ಥಿರ | a=12.013 Å |
ತಾಂತ್ರಿಕ ನಿಯತಾಂಕಗಳು
| ವೇವ್ಫ್ರಂಟ್ ಅಸ್ಪಷ್ಟತೆ | L/8 ಪ್ರತಿ ಇಂಚಿಗೆ @633nm |
| ಅಳಿವಿನ ಅನುಪಾತ | >28dB |
| ವೇವ್ಫ್ರಂಟ್ ಅಸ್ಪಷ್ಟತೆ | L/8 ಪ್ರತಿ ಇಂಚಿಗೆ @633nm |
| ಅಳಿವಿನ ಅನುಪಾತ | >28dB |
| ಸಹಿಷ್ಣುತೆ: ವ್ಯಾಸವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ರಾಡ್ಗಳು | (+0、-0.05)mm,( ±0.5) mm |
| ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟ | 10/5 ಸ್ಕ್ರ್ಯಾಚ್/ಡಿಗ್ ಪ್ರತಿ MIL-O-1380A |
| ಸಮಾನಾಂತರತೆ | <10ಆರ್ಕ್ ಸೆಕೆಂಡುಗಳು |
| ಲಂಬವಾಗಿರುವಿಕೆ | <5 ಆರ್ಕ್ ನಿಮಿಷಗಳು |
| ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರ | >90% |
| ಚಪ್ಪಟೆತನ | λ/10@ 633 nm |
| ಸಹಿಷ್ಣುತೆ（ವ್ಯಾಸವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ರಾಡ್ಗಳು | (+0,-0.05)ಮಿಮೀ,(±0.5) ಮಿಮೀ |
| ಮೇಲ್ಮೈ ಗುಣಮಟ್ಟ | 10/5 ಸ್ಕ್ರ್ಯಾಚ್/ಡಿಗ್ ಪ್ರತಿ MIL-O-1380A |
| ಸಮಾನಾಂತರತೆ | <10ಆರ್ಕ್ ಸೆಕೆಂಡುಗಳು |
| ಲಂಬವಾಗಿರುವಿಕೆ | <5 ಆರ್ಕ್ ನಿಮಿಷಗಳು |
| ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರ | >90% |
| ಚಪ್ಪಟೆತನ | λ/10@ 633 nm |
-
ದೂರವಾಣಿ
ದೂರವಾಣಿ
-
ಇಮೇಲ್
ಇಮೇಲ್
-
whatsapp
whatsapp
-
ವೆಚಾಟ್
ವೆಚಾಟ್
-
ಟಾಪ್
