LGS ಹರಳುಗಳು

ರಾಸಾಯನಿಕ ಸೂತ್ರ:La3Ga5SiQ14

ಸಾಂದ್ರತೆ:5.75g/cm3

ಕರಗುವ ಬಿಂದು:1470℃

ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ಶ್ರೇಣಿ:242-3200nm

ವಕ್ರೀಕರಣ ಸೂಚಿ:1.89

ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕ್ ಗುಣಾಂಕಗಳು:γ41=1.8pm/V，γ11=2.3pm/V

ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ:1.7x1010Ω.ಸೆಂ

ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ ಗುಣಾಂಕಗಳು:α11=5.15x10-6/K(⊥Z-ಆಕ್ಸಿಸ್);α33=3.65x10-6/K(∥Z-axis)

WhatsApp ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಮೂಲ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು

La3Ga5SiO14 ಸ್ಫಟಿಕ (LGS ಸ್ಫಟಿಕ) ಹೆಚ್ಚಿನ ಹಾನಿ ಮಿತಿ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಾಂಕ ಮತ್ತು ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯೊಂದಿಗೆ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.LGS ಸ್ಫಟಿಕವು ತ್ರಿಕೋನ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯ ರಚನೆಗೆ ಸೇರಿದೆ, ಸಣ್ಣ ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣಾ ಗುಣಾಂಕ, ಸ್ಫಟಿಕದ ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ ಅನಿಸೊಟ್ರೋಪಿ ದುರ್ಬಲವಾಗಿದೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆಯ ಉಷ್ಣತೆಯು ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ (SiO2 ಗಿಂತ ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ), ಎರಡು ಸ್ವತಂತ್ರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ - ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಾಂಕಗಳು BBO ಯಂತೆಯೇ ಉತ್ತಮವಾಗಿವೆ. ಹರಳುಗಳು.ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕ್ ಗುಣಾಂಕಗಳು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಸ್ಥಿರವಾಗಿರುತ್ತವೆ.ಸ್ಫಟಿಕವು ಉತ್ತಮ ಯಾಂತ್ರಿಕ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, ಯಾವುದೇ ಸೀಳು, ಯಾವುದೇ ಡಿಲೀಕ್ಸೆನ್ಸ್, ಭೌತ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸ್ಥಿರತೆ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮವಾದ ಸಮಗ್ರ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.LGS ಸ್ಫಟಿಕವು ವಿಶಾಲವಾದ ಪ್ರಸರಣ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, 242nm-3550nm ನಿಂದ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಸರಣ ದರವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.ಇದನ್ನು ಇಒ ಮಾಡ್ಯುಲೇಶನ್ ಮತ್ತು ಇಒ ಕ್ಯೂ-ಸ್ವಿಚ್‌ಗಳಿಗೆ ಬಳಸಬಹುದು.

LGS ಸ್ಫಟಿಕವು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ: ಪೀಜೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಪರಿಣಾಮ, ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ತಿರುಗುವಿಕೆಯ ಪರಿಣಾಮದ ಜೊತೆಗೆ, ಅದರ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪರಿಣಾಮದ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯು ತುಂಬಾ ಉತ್ತಮವಾಗಿದೆ, LGS ಪಾಕೆಲ್ಸ್ ಕೋಶಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ಪುನರಾವರ್ತನೆಯ ಆವರ್ತನ, ದೊಡ್ಡ ವಿಭಾಗದ ದ್ಯುತಿರಂಧ್ರ, ಕಿರಿದಾದ ನಾಡಿ ಅಗಲ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ, ಅಲ್ಟ್ರಾ ಕಡಿಮೆ ತಾಪಮಾನ ಮತ್ತು ಇತರ ಪರಿಸ್ಥಿತಿಗಳು LGS ಸ್ಫಟಿಕ EO Q -switch ಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ.LGS ಪಾಕೆಲ್ಸ್ ಕೋಶಗಳನ್ನು ತಯಾರಿಸಲು ನಾವು γ 11 ರ EO ಗುಣಾಂಕವನ್ನು ಅನ್ವಯಿಸಿದ್ದೇವೆ ಮತ್ತು LGS ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಸೆಲ್‌ಗಳ ಅರ್ಧ-ತರಂಗ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಅದರ ದೊಡ್ಡ ಆಕಾರ ಅನುಪಾತವನ್ನು ಆಯ್ಕೆ ಮಾಡಿದ್ದೇವೆ, ಇದು ಎಲ್ಲಾ-ಸಾಲಿಡ್-ಸ್ಟೇಟ್‌ನ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಟ್ಯೂನಿಂಗ್‌ಗೆ ಸೂಕ್ತವಾಗಿದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿಯ ಪುನರಾವರ್ತನೆ ದರಗಳೊಂದಿಗೆ ಲೇಸರ್.ಉದಾಹರಣೆಗೆ, ಇದನ್ನು LD Nd ಗೆ ಅನ್ವಯಿಸಬಹುದು: YVO4 ಘನ-ಸ್ಥಿತಿಯ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು 100W ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿನ ಸರಾಸರಿ ಶಕ್ತಿ ಮತ್ತು ಶಕ್ತಿಯೊಂದಿಗೆ ಪಂಪ್ ಮಾಡಲಾಗಿದೆ, 200KHZ ವರೆಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ದರದೊಂದಿಗೆ, 715w ವರೆಗೆ ಹೆಚ್ಚಿನ ಉತ್ಪಾದನೆ, 46ns ವರೆಗೆ ಪಲ್ಸ್ ಅಗಲ, ನಿರಂತರ ಸುಮಾರು 10w ವರೆಗೆ ಔಟ್‌ಪುಟ್, ಮತ್ತು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಹಾನಿ ಮಿತಿ LiNbO3 ಸ್ಫಟಿಕಕ್ಕಿಂತ 9-10 ಪಟ್ಟು ಹೆಚ್ಚಾಗಿದೆ.1/2 ತರಂಗ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಮತ್ತು 1/4 ತರಂಗ ವೋಲ್ಟೇಜ್ ಅದೇ ವ್ಯಾಸದ BBO ಪಾಕೆಲ್ಸ್ ಸೆಲ್‌ಗಳಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಿರುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ವಸ್ತು ಮತ್ತು ಜೋಡಣೆಯ ವೆಚ್ಚವು ಅದೇ ವ್ಯಾಸದ RTP ಪಾಕೆಲ್ಸ್ ಸೆಲ್‌ಗಳಿಗಿಂತ ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ.DKDP ಪಾಕಲ್ಸ್ ಸೆಲ್‌ಗಳಿಗೆ ಹೋಲಿಸಿದರೆ, ಅವು ಪರಿಹಾರವಲ್ಲ ಮತ್ತು ಉತ್ತಮ ತಾಪಮಾನದ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿವೆ.LGS ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಕೋಶಗಳನ್ನು ಕಠಿಣ ಪರಿಸರದಲ್ಲಿ ಬಳಸಬಹುದು ಮತ್ತು ವಿಭಿನ್ನ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ ಉತ್ತಮವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸಬಹುದು.

ರಾಸಾಯನಿಕ ಸೂತ್ರ	La3Ga5SiQ14
ಸಾಂದ್ರತೆ	5.75g/cm3
ಕರಗುವ ಬಿಂದು	1470℃
ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ಶ್ರೇಣಿ	242-3200nm
ವಕ್ರೀಕರಣ ಸೂಚಿ	1.89
ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕ್ ಗುಣಾಂಕಗಳು	γ41=1.8pm/V,γ11=2.3pm/V
ಪ್ರತಿರೋಧಕತೆ	1.7×1010Ω.ಸೆಂ
ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ ಗುಣಾಂಕಗಳು	α11=5.15×10-6/K(⊥Z-axis);α33=3.65×10-6/K(∥Z-axis)