ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಹರಳುಗಳು

ಸಮತಲ ಮತ್ತು ಲಂಬ ಸೇರಿದಂತೆ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನಗಳು, ಈ ವಸ್ತುಗಳು (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) ನೀಡಲಾದ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಗಾತ್ರಗಳು ಮತ್ತು ದೃಷ್ಟಿಕೋನಗಳೊಂದಿಗೆ ಲಭ್ಯವಿದೆ.ಇವುಗಳಲ್ಲಿ ಕೆಲವು, ನಾವು ಒದಗಿಸಿದ ದೊಡ್ಡ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಗುಣಾಂಕ ಮತ್ತು ವಿಶಿಷ್ಟ ಆಯಾಮಗಳ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಾಮಾನ್ಯ SHG, THG ಮತ್ತು ಮಿಡ್-ಇನ್‌ಫ್ರಾರೆಡ್ OPO, OPA ಸಿಸ್ಟಮ್‌ಗಳು ಇತ್ಯಾದಿಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ಆನೋಡೈಸ್ಡ್ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಹೋಲ್ಡರ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಅಥವಾ ಇಲ್ಲದೆಯೇ ವಿತರಿಸಬಹುದು.

GaSe ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್

Gallium Selenide (GaSe) ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಸಿಂಗಲ್ ಸ್ಫಟಿಕ, ದೊಡ್ಡ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಗುಣಾಂಕ, ಹೆಚ್ಚಿನ ಹಾನಿ ಮಿತಿ ಮತ್ತು ವ್ಯಾಪಕ ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಸಂಯೋಜಿಸುತ್ತದೆ.ಮಧ್ಯ ಐಆರ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಎಸ್‌ಎಚ್‌ಜಿಗೆ ಇದು ಅತ್ಯಂತ ಸೂಕ್ತವಾದ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.
ZGP(ZnGeP2) ಹರಳುಗಳು

ದೊಡ್ಡ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಗುಣಾಂಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ZGP ಹರಳುಗಳು (d36=75pm/V), ವಿಶಾಲ ಅತಿಗೆಂಪು ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ಶ್ರೇಣಿ (0.75-12μm), ಹೆಚ್ಚಿನ ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ (0.35W/(cm·K)), ಹೆಚ್ಚಿನ ಲೇಸರ್ ಹಾನಿ ಮಿತಿ (2-5J/cm2)ಮತ್ತು ಚೆನ್ನಾಗಿ ಯಂತ್ರೋಪಕರಣದ ಆಸ್ತಿ, ZnGeP2 ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಅತಿಗೆಂಪು ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಸ್ಫಟಿಕಗಳ ರಾಜ ಎಂದು ಕರೆಯಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು ಮತ್ತು ಇದು ಇನ್ನೂ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶಕ್ತಿ, ಟ್ಯೂನ್ ಮಾಡಬಹುದಾದ ಅತಿಗೆಂಪು ಲೇಸರ್ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಉತ್ತಮ ಆವರ್ತನ ಪರಿವರ್ತನೆ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.ನಾವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಮಟ್ಟ ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ವ್ಯಾಸದ ZGP ಹರಳುಗಳನ್ನು ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗುಣಾಂಕದೊಂದಿಗೆ ನೀಡಬಹುದು α <0.05 cm-1 (ಪಂಪ್ ತರಂಗಾಂತರಗಳಲ್ಲಿ 2.0-2.1 µm), ಇದನ್ನು OPO ಅಥವಾ OPA ಮೂಲಕ ಹೆಚ್ಚಿನ ದಕ್ಷತೆಯೊಂದಿಗೆ ಮಧ್ಯ-ಅತಿಗೆಂಪು ಟ್ಯೂನಬಲ್ ಲೇಸರ್ ಅನ್ನು ಉತ್ಪಾದಿಸಲು ಬಳಸಬಹುದು. ಕಾರ್ಯವಿಧಾನಗಳು.
AGSe(AgGaSe2) ಹರಳುಗಳು

AGSeAgGaSe2 ಹರಳುಗಳು 0.73 ಮತ್ತು 18 µm ನಲ್ಲಿ ಬ್ಯಾಂಡ್ ಅಂಚುಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತವೆ.ಇದರ ಉಪಯುಕ್ತ ಪ್ರಸರಣ ಶ್ರೇಣಿ (0.9–16 µm) ಮತ್ತು ವಿಶಾಲ ಹಂತದ ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು ವಿವಿಧ ರೀತಿಯ ಲೇಸರ್‌ಗಳಿಂದ ಪಂಪ್ ಮಾಡಿದಾಗ OPO ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಿಗೆ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ.2.05 µm ನಲ್ಲಿ Ho:YLF ಲೇಸರ್ ಮೂಲಕ ಪಂಪ್ ಮಾಡುವಾಗ 2.5–12 µm ಒಳಗೆ ಟ್ಯೂನಿಂಗ್ ಪಡೆಯಲಾಗಿದೆ;ಹಾಗೆಯೇ 1.4–1.55 µm ನಲ್ಲಿ ಪಂಪ್ ಮಾಡುವಾಗ 1.9–5.5 µm ಒಳಗೆ ನಾನ್ ಕ್ರಿಟಿಕಲ್ ಫೇಸ್ ಮ್ಯಾಚಿಂಗ್ (NCPM) ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆ.AgGaSe2 (AgGaSe2) ಅತಿಗೆಂಪು CO2 ಲೇಸರ್ ವಿಕಿರಣಕ್ಕೆ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಆವರ್ತನ ದ್ವಿಗುಣಗೊಳಿಸುವ ಸ್ಫಟಿಕ ಎಂದು ನಿರೂಪಿಸಲಾಗಿದೆ.
AGS(AgGaS2) ಹರಳುಗಳು

AGS 0.50 ರಿಂದ 13.2 µm ವರೆಗೆ ಪಾರದರ್ಶಕವಾಗಿರುತ್ತದೆ.ಅದರ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಾಂಕವು ಉಲ್ಲೇಖಿಸಲಾದ ಅತಿಗೆಂಪು ಸ್ಫಟಿಕಗಳಲ್ಲಿ ಅತ್ಯಂತ ಕಡಿಮೆಯಿದ್ದರೂ, 550 nm ನಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಕಡಿಮೆ ತರಂಗಾಂತರದ ಪಾರದರ್ಶಕತೆಯ ಅಂಚುಗಳನ್ನು Nd:YAG ಲೇಸರ್‌ನಿಂದ ಪಂಪ್ ಮಾಡಲಾದ OPO ಗಳಲ್ಲಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ;ಡಯೋಡ್, Ti:Sapphire, Nd:YAG ಮತ್ತು IR ಡೈ ಲೇಸರ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ 3–12 µm ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಒಳಗೊಂಡಿರುವ ಹಲವಾರು ವ್ಯತ್ಯಾಸಗಳ ಆವರ್ತನ ಮಿಶ್ರಣ ಪ್ರಯೋಗಗಳಲ್ಲಿ;ನೇರ ಅತಿಗೆಂಪು ಪ್ರತಿಮಾಪನ ವ್ಯವಸ್ಥೆಗಳಲ್ಲಿ ಮತ್ತು CO2 ಲೇಸರ್‌ನ SHG ಗಾಗಿ.ತೆಳುವಾದ AgGaS2 (AGS) ಸ್ಫಟಿಕ ಫಲಕಗಳು NIR ತರಂಗಾಂತರದ ದ್ವಿದಳ ಧಾನ್ಯಗಳನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಳ್ಳುವ ವ್ಯತ್ಯಾಸ ಆವರ್ತನ ಉತ್ಪಾದನೆಯಿಂದ ಮಧ್ಯ IR ಶ್ರೇಣಿಯಲ್ಲಿ ಅಲ್ಟ್ರಾಶಾರ್ಟ್ ಪಲ್ಸ್ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಜನಪ್ರಿಯವಾಗಿವೆ.
BGSe(BaGa4Se7) ಹರಳುಗಳು

BGSe (BaGa4Se7) ನ ಉನ್ನತ-ಗುಣಮಟ್ಟದ ಸ್ಫಟಿಕಗಳು ಚಾಲ್ಕೊಜೆನೈಡ್ ಸಂಯುಕ್ತ BaGa4S7 ನ ಸೆಲೆನೈಡ್ ಅನಲಾಗ್ ಆಗಿದೆ, ಇದರ ಅಸೆಂಟ್ರಿಕ್ ಆರ್ಥೋರೋಂಬಿಕ್ ರಚನೆಯನ್ನು 1983 ರಲ್ಲಿ ಗುರುತಿಸಲಾಯಿತು ಮತ್ತು IR NLO ಪರಿಣಾಮವು 2009 ರಲ್ಲಿ ವರದಿಯಾಗಿದೆ, ಇದು ಹೊಸದಾಗಿ ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಲಾದ IR NLO ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿದೆ.ಇದನ್ನು ಬ್ರಿಡ್ಜ್‌ಮ್ಯಾನ್-ಸ್ಟಾಕ್‌ಬರ್ಗರ್ ತಂತ್ರದ ಮೂಲಕ ಪಡೆಯಲಾಗಿದೆ.ಈ ಸ್ಫಟಿಕವು 0.47-18 μm ನ ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯಲ್ಲಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಪ್ರಸರಣವನ್ನು ಪ್ರದರ್ಶಿಸುತ್ತದೆ, ಸುಮಾರು 15 μm ನಲ್ಲಿ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವ ಗರಿಷ್ಠವನ್ನು ಹೊರತುಪಡಿಸಿ.
BGGSe(BaGa2GeSe6) ಹರಳುಗಳು

BaGa2GeSe6 ಸ್ಫಟಿಕವು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಹಾನಿ ಮಿತಿ (110 MW/cm2), ವಿಶಾಲವಾದ ರೋಹಿತದ ಪಾರದರ್ಶಕತೆ ಶ್ರೇಣಿ (0.5 ರಿಂದ 18 μm ವರೆಗೆ) ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ರೇಖಾತ್ಮಕತೆ (d11 = 66 ± 15 pm/V) ಹೊಂದಿದೆ, ಇದು ಈ ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ಬಹಳ ಆಕರ್ಷಕವಾಗಿ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಲೇಸರ್ ವಿಕಿರಣದ ಆವರ್ತನ ಪರಿವರ್ತನೆ (ಅಥವಾ ಒಳಗೆ) ಮಧ್ಯ-IR ಶ್ರೇಣಿ.