ನಾನ್ ಲೀನಿಯರ್ ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್ಸ್

ಸಮತಲ ಮತ್ತು ಲಂಬ ಸೇರಿದಂತೆ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ವಿಧಾನಗಳು, ಈ ವಸ್ತುಗಳು (ZnGeP2, AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, KTA, KTP, BIBO, LBO, BBO) ನೀಡಲಾದ ಪ್ರಮಾಣಿತ ಗಾತ್ರಗಳು ಮತ್ತು ದೃಷ್ಟಿಕೋನಗಳೊಂದಿಗೆ ಲಭ್ಯವಿದೆ.ಇವುಗಳಲ್ಲಿ ಕೆಲವು, ನಾವು ಒದಗಿಸಿದ ದೊಡ್ಡ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಗುಣಾಂಕ ಮತ್ತು ವಿಶಿಷ್ಟ ಆಯಾಮಗಳ ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳೊಂದಿಗೆ ಸಾಮಾನ್ಯ SHG, THG ಮತ್ತು ಮಿಡ್-ಇನ್‌ಫ್ರಾರೆಡ್ OPO, OPA ಸಿಸ್ಟಮ್‌ಗಳು ಇತ್ಯಾದಿಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ. ಉತ್ಪನ್ನಗಳನ್ನು ಆನೋಡೈಸ್ಡ್ ಅಲ್ಯೂಮಿನಿಯಂ ಹೋಲ್ಡರ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಅಥವಾ ಇಲ್ಲದೆಯೇ ವಿತರಿಸಬಹುದು.

KTP ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್

ಪೊಟ್ಯಾಸಿಯಮ್ ಟೈಟಾನೈಲ್ ಆರ್ಸೆನೇಟ್ (KTiOAsO4), ಅಥವಾ KTA ಸ್ಫಟಿಕ, ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪ್ಯಾರಾಮೆಟ್ರಿಕ್ ಆಸಿಲೇಷನ್ (OPO) ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಅತ್ಯುತ್ತಮ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿದೆ.ಇದು ಉತ್ತಮ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋ-ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಗುಣಾಂಕಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ, 2.0-5.0 µm ಪ್ರದೇಶದಲ್ಲಿ ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ಕಡಿಮೆಯಾದ ಹೀರಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆ, ವಿಶಾಲ ಕೋನೀಯ ಮತ್ತು ತಾಪಮಾನ ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್, ಕಡಿಮೆ ಡೈಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ಸ್ಥಿರಾಂಕಗಳು.
ZnTe ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್

ಝಿಂಕ್ ಟೆಲ್ಲುರೈಡ್ ZnTe ಸೂತ್ರದೊಂದಿಗೆ ಬೈನರಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಸಂಯುಕ್ತವಾಗಿದೆ.DIEN TECH ಸ್ಫಟಿಕ ಅಕ್ಷ <110> ನೊಂದಿಗೆ ZnTe ಸ್ಫಟಿಕವನ್ನು ತಯಾರಿಸುತ್ತದೆ, ಇದು ಸಬ್‌ಪಿಕೋಸೆಕೆಂಡ್‌ನ ಹೆಚ್ಚಿನ-ತೀವ್ರತೆಯ ಬೆಳಕಿನ ಪಲ್ಸ್ ಅನ್ನು ಬಳಸಿಕೊಂಡು ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ರೆಕ್ಟಿಫಿಕೇಶನ್ ಎಂಬ ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೂಲಕ ಟೆರಾಹೆರ್ಟ್ಜ್ ಆವರ್ತನದ ನಾಡಿಯನ್ನು ಖಾತರಿಪಡಿಸಲು ಅನ್ವಯಿಸಲಾದ ಆದರ್ಶ ವಸ್ತುವಾಗಿದೆ.DIEN TECH ಒದಗಿಸುವ ZnTe ಅಂಶಗಳು ಅವಳಿ ದೋಷಗಳಿಂದ ಮುಕ್ತವಾಗಿವೆ.
PPKTP ಸಿಸ್ಟಲ್ಸ್

ನಿಯತಕಾಲಿಕವಾಗಿ ಪೋಲ್ಡ್ ಪೊಟ್ಯಾಸಿಯಮ್ ಟೈಟಾನಿಲ್ ಫಾಸ್ಫೇಟ್ (PPKTP) ಒಂದು ಫೆರೋಎಲೆಕ್ಟ್ರಿಕ್ ನಾನ್ ಲೀನಿಯರ್ ಸ್ಫಟಿಕವಾಗಿದ್ದು, ಅರೆ-ಹಂತ-ಹೊಂದಾಣಿಕೆಯ (QPM) ಮೂಲಕ ಸಮರ್ಥ ಆವರ್ತನ ಪರಿವರ್ತನೆಯನ್ನು ಸುಗಮಗೊಳಿಸುವ ವಿಶಿಷ್ಟ ರಚನೆಯನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ.
HgGa2S4 ಕ್ರಿಸ್ಟಲ್

ಲೇಸರ್ ಹಾನಿ ಮಿತಿ ಮತ್ತು ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆಯ ಹೆಚ್ಚಿನ ಮೌಲ್ಯಗಳು ಮರ್ಕ್ಯುರಿ ಥಿಯೊಗಲೇಟ್ HgGa ಅನ್ನು ಬಳಸಲು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ₂S₄ಆವರ್ತನ ದ್ವಿಗುಣಗೊಳಿಸಲು (HGS) ರೇಖಾತ್ಮಕವಲ್ಲದ ಹರಳುಗಳು ಮತ್ತು OPO/OPA ತರಂಗಾಂತರದ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯಲ್ಲಿ 1.0 ರಿಂದ 10 µm ವರೆಗೆ ಇರುತ್ತದೆ.CO ಯ SHG ದಕ್ಷತೆ ಎಂದು ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಯಿತು₂4 mm ಉದ್ದದ HgGa ಗೆ ಲೇಸರ್ ವಿಕಿರಣ₂S₄ಅಂಶವು ಸುಮಾರು 10 % (ನಾಡಿ ಅವಧಿ 30 ns, ವಿಕಿರಣ ಶಕ್ತಿ ಸಾಂದ್ರತೆ 60 MW/cm²)ಹೆಚ್ಚಿನ ಪರಿವರ್ತನೆ ದಕ್ಷತೆ ಮತ್ತು ವ್ಯಾಪಕ ಶ್ರೇಣಿಯ ವಿಕಿರಣ ತರಂಗಾಂತರದ ಶ್ರುತಿ ಈ ವಸ್ತುವು AgGaS ನೊಂದಿಗೆ ಸ್ಪರ್ಧಿಸಬಹುದೆಂದು ನಿರೀಕ್ಷಿಸಲು ಅನುಮತಿಸುತ್ತದೆ₂, AgGaSe₂, ZnGeP₂ಮತ್ತು ದೊಡ್ಡ ಗಾತ್ರದ ಹರಳುಗಳ ಬೆಳವಣಿಗೆಯ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಗಣನೀಯ ತೊಂದರೆಯ ಹೊರತಾಗಿಯೂ GaSe ಹರಳುಗಳು.